IPD105N03LG

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252

内部编号

生产厂商

数量:1743

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新加坡
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规格书
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 15V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max	38W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
包装	3TO-252
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	30 V
最大连续漏极电流	35 A
RDS -于	10.5@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	3.7 ns
典型关闭延迟时间	14 ns
典型下降时间	2.4 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel

型号	厂家	产品描述
IPD105N03LGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD105N03LGNT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
IPD105N03LGXT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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